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高壓鍋蒸煮或飽和蒸汽試驗(yàn)

 二維碼 199
發(fā)表時(shí)間:2021-09-26 09:02


  PCT試驗(yàn)機(jī)通常被稱為高壓鍋蒸煮或飽和蒸汽試驗(yàn),最主要的是把待測產(chǎn)品置于嚴(yán)酷的溫度、飽和濕度(100%R.H.)[飽和水蒸氣]和壓力環(huán)境中進(jìn)行測試,檢驗(yàn)替代品耐高濕性能,用于印刷線路板(PCB&FPC)、用于物料吸濕試驗(yàn)、高壓蒸煮試驗(yàn)等試驗(yàn),如待測產(chǎn)品為半導(dǎo)體,則可用于測試半導(dǎo)體封裝的抗?jié)駳饽芰?。待測產(chǎn)品被置于非??量痰臏囟群蛪毫Νh(huán)境中進(jìn)行測試,假如半導(dǎo)體封裝不好,濕氣就會(huì)沿著膠體或膠體與導(dǎo)體間的接觸面滲入到封裝體中,常見的故裝原因是:爆米花效應(yīng),動(dòng)金屬化區(qū)腐蝕引起的斷路、封裝體接頭間的短路及其他有關(guān)問題,如污染所致。

高壓加速老化試驗(yàn)機(jī)(1).png

高壓蒸煮器(PCT)結(jié)構(gòu)的檢驗(yàn):

該實(shí)驗(yàn)室由一個(gè)壓力容器組成,它包含一個(gè)可以100%潮濕的環(huán)境,而待測產(chǎn)品通過正合PCT試驗(yàn),可能會(huì)出現(xiàn)不同的失效情況。

浴缸曲線:

浴室曲線(Bathtubcurve,失效期),也稱“浴缸曲線”,主要是為了顯示產(chǎn)品在不同階段的失效率,大部分是早逝(早期失效)、正常(隨機(jī)失效)和損失損失(退化失效),這在環(huán)境測試的可靠性試驗(yàn)箱中也是如此,它可劃分為篩選試驗(yàn)、加速壽命(耐久性)試驗(yàn)和失效性試驗(yàn)等。在進(jìn)行可靠性試驗(yàn)時(shí),應(yīng)將“試驗(yàn)設(shè)計(jì)”、“試驗(yàn)實(shí)施”和“試驗(yàn)分析”作為一個(gè)整體加以考慮。


一般故障期:

最早的失敗期(早死,InfantMortalityRegion):生產(chǎn)不足,材料不足,環(huán)境不適宜,設(shè)計(jì)不完善。

隨機(jī)性故障時(shí)間:

(一般情況下,UsefulLifeRegion):外部震蕩,誤用,環(huán)境狀況變動(dòng),抗壓性能差。

退化期(損耗期,WearoutRegion):氧化、疲勞老化、性能退化、腐蝕。


周圍的壓力和破壞圖的描述:

  根據(jù)美國Hughes航空公司的統(tǒng)計(jì)報(bào)告,在環(huán)境壓力下,電子設(shè)備失靈的百分比,高度為2%,鹽霧為4%,沙占6%,振動(dòng)占28%,而溫度和濕度去濕占60%,因此電子產(chǎn)品對(duì)溫度和濕度的影響尤為顯著,但由于傳統(tǒng)的高溫高濕測試(例如:40℃/90%R.H.,85℃/85%R.H.,60℃/95%R.H.)需要較長的時(shí)間,以加快材料的吸濕率,并可縮短測試時(shí)間。可以利用加速測試設(shè)備(HAST[高加速壽命試驗(yàn)器],PCT[壓力鍋])進(jìn)行相關(guān)試驗(yàn),即所謂(退化失效期,消耗期)測試。


θ10℃規(guī)則:

  通常用[θ10℃定則]的表示,簡單的說明可表示為[10℃定則],當(dāng)環(huán)境溫度升高10℃,產(chǎn)品壽命便減半,而環(huán)境溫度升高20℃,則產(chǎn)品壽命縮短1/4。這一規(guī)律可以說明溫度對(duì)產(chǎn)品壽命(失效)的影響,當(dāng)對(duì)相對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行可靠度測試時(shí),還可以用提高環(huán)境溫度來加速失效,對(duì)各種加速老化進(jìn)行測試。


濕空氣造成故障的原因:

  水的滲入、聚合物材料的解聚、聚合物結(jié)合能力的降低、腐蝕、空洞、線焊點(diǎn)脫、導(dǎo)線間漏電、芯片與芯片之間的脫開、焊盤腐蝕、金屬化或引線短路。

水蒸汽對(duì)電子封裝可靠性的影響

銹蝕、分層、開裂,改變了封口材料的特性。


PCB的PCT故障模式:

起泡沫(Blister)、折斷(Crack)、止焊漆皮剝離(SRde-lamination)。

半導(dǎo)體PCT檢測:

  PCT主要用來測試半導(dǎo)體封裝的抗?jié)衲芰?,而待測產(chǎn)品被放置在非常苛刻的溫濕度和壓力環(huán)境中進(jìn)行測試,如果半導(dǎo)體封裝不好,水份將沿著膠體或膠體和導(dǎo)線架上的界面滲入到封裝體中,常見的故裝原因是:爆米花效應(yīng)、動(dòng)金屬化區(qū)域腐蝕所致斷路,由于污染引起的封裝體管腳之間的短路..等相關(guān)問題。

IC半導(dǎo)體的PCT可靠性評(píng)估項(xiàng)目:

金屬絲支架材料、密封樹脂腐蝕失效與IC:腐蝕失效(水汽、偏壓、雜質(zhì)離子)會(huì)引起IC的鋁線發(fā)生電化學(xué)腐蝕,從而導(dǎo)致鋁線的腐蝕。


由于水汽腐蝕導(dǎo)致的塑封型半導(dǎo)體失效現(xiàn)象:

  因?yàn)殇X、鋁合金價(jià)格低廉,加工工藝簡單,常被用作集成電路的金屬絲。在集成電路塑封線過程中,水和氣體便會(huì)通過環(huán)氧樹脂滲入,導(dǎo)致鋁金屬導(dǎo)線發(fā)生腐蝕而產(chǎn)生開路現(xiàn)象,成為質(zhì)量管理最頭疼的問題。盡管各種改進(jìn)措施包括采用不同的環(huán)氧樹脂料、改進(jìn)塑封工藝、改進(jìn)非活性塑封膜,以提高生產(chǎn)質(zhì)量,但伴隨著日新月異的半導(dǎo)體電子器件小型化的發(fā)展,塑封鋁金屬導(dǎo)線的腐蝕問題至今仍是電子工業(yè)一個(gè)十分重要的技術(shù)課題。

鋁絲內(nèi)的腐蝕過程:

①水與氣體滲入塑封殼→濕氣進(jìn)入樹脂空隙及導(dǎo)絲間隙。

②水和氣體滲入晶片表面,引起鋁的化學(xué)反應(yīng)。

促進(jìn)鋁腐蝕的因素:

①樹脂材料與晶片構(gòu)架界面連接不良(因各種材料間存在膨脹率差異)

②封裝時(shí),封裝材料摻雜或雜質(zhì)離子(由于雜質(zhì)離子的出現(xiàn))

③高濃度磷用于非活性塑料薄膜。

④無活性塑封膜存在的缺陷。


(PopcornEffect)效果:

本發(fā)明原指封裝于塑料外殼的IC,由于其芯片安裝時(shí)所用的銀膏會(huì)吸水,一旦末加防范性而徑行封牢塑體后,在下游組裝焊接遭遇高溫時(shí),它所含的水分在蒸發(fā)壓力下會(huì)導(dǎo)致封體破裂,同時(shí)發(fā)出像爆米花一樣的聲音,因此,當(dāng)吸收水汽含量大于0.17%時(shí),名為[爆米花現(xiàn)象]發(fā)生了。P-BGA封裝組件最近非常流行,不僅其中銀膠會(huì)吸水,而且連接板之基材也會(huì)吸水,管理不佳時(shí)也常出現(xiàn)爆米花現(xiàn)象。

水蒸汽進(jìn)入IC封裝方式:

1.IC晶片和引線架以及SMT時(shí)用銀漿吸收的水分。

2.塑料密封材料吸收的水分。

3.塑封室內(nèi)濕度過高,可能對(duì)設(shè)備產(chǎn)生影響;

4.包裝后的設(shè)備,水汽通過塑封材料,并穿過塑封料和引線框之間的間隙進(jìn)入,因?yàn)樗芰虾鸵€框之間是機(jī)械連接,因此引線框架與塑料之間難免會(huì)出現(xiàn)小的間隙。

注:只要密封膠之間的間隙超過3.4*10^-10m,就可以使水分子通過密封膠的保護(hù)。

注:氣密封裝對(duì)水汽不敏感,一般不用加速濕法評(píng)估其可靠性,而是用測定它的氣密性、內(nèi)水含量等。


PCT測試指導(dǎo):

  在水汽凝結(jié)和飽和水汽環(huán)境下,非氣體密封裝置抗水汽完整性的評(píng)價(jià)。試樣在高壓下處于冷凝、高濕環(huán)境中,使水分進(jìn)入包封體內(nèi),暴露了包封體的弱點(diǎn),例如分層和金屬化層的腐蝕。這種測試用于評(píng)估新封裝結(jié)構(gòu)或密封體內(nèi)的材料和設(shè)計(jì)的更新。需要注意的是,在這種測試中,可能會(huì)產(chǎn)生一些不符合實(shí)際應(yīng)用的內(nèi)部或外部失效機(jī)制。在玻璃化轉(zhuǎn)變溫度以上,由于所吸收的水蒸氣使大部分聚合物材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度降低,有可能在一定程度上造成非真實(shí)失效。

  外引腳錫短路:密封的體外引腳由于濕氣所引起的電離效應(yīng),會(huì)使離子遷移不正常生長,而在管腳間出現(xiàn)短路現(xiàn)象。

水分引起封裝體內(nèi)的腐蝕:水分通過包裝時(shí),使晶片表面受到水分的污染,并在通過通過表面的缺陷,例如:保護(hù)層針孔、斷裂,被覆不良處..等,進(jìn)入半導(dǎo)體原始材料內(nèi)部,造成腐蝕及漏電流等問題,如有施加偏壓的情況,較易出現(xiàn)故障。



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